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PI膜（聚酰亞胺薄膜）電壓擊穿試驗(yàn)儀的核心技術(shù)解析及操作規(guī)范以下是針對(duì)?PI膜（聚酰亞胺薄膜）電壓擊穿試驗(yàn)儀?的核心技術(shù)解析及操作規(guī)范：?儀器功能與配置??核心功能?測(cè)定PI膜在?工頻交流/直流電壓?下的擊穿強(qiáng)度（kV/mm）和耐電壓時(shí)間，符合GB/T1408-2006、ASTMD149等標(biāo)準(zhǔn)。支持...
2025-08-13 -
無轉(zhuǎn)子硫化儀 應(yīng)用場(chǎng)景
無轉(zhuǎn)子硫化儀應(yīng)用場(chǎng)景無轉(zhuǎn)子硫化儀作為橡膠工業(yè)的核心測(cè)試設(shè)備，其應(yīng)用場(chǎng)景覆蓋橡膠制品的全生命周期，主要聚焦于以下領(lǐng)域：一、輪胎制造領(lǐng)域?配方優(yōu)化?測(cè)定胎面膠、胎側(cè)膠等部位的正硫化時(shí)間（t??）與焦燒時(shí)間（t??），例如半鋼子午線輪胎胎面膠需控...
2025-08-06 -
漏電起痕試驗(yàn)儀污染液的配比
GBT65532014《評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐電痕化和蝕損的試驗(yàn)方法》是中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，其技術(shù)內(nèi)容修改采用IEC60587:2007。該標(biāo)準(zhǔn)對(duì)污染液（電解液）的配比、電阻率及使用有明確要求。以下是依據(jù)GBT65532014的...
2025-07-24 -
TOC分析儀有哪些優(yōu)缺點(diǎn)
TOC（TotalOrganicCarbon，總有機(jī)碳）分析儀是一種用于測(cè)量水樣中總有機(jī)碳含量的儀器，廣泛應(yīng)用于水質(zhì)監(jiān)測(cè)、制藥、食品飲料、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。其優(yōu)缺點(diǎn)可從測(cè)量原理、技術(shù)性能、應(yīng)用場(chǎng)景及維護(hù)成本等方面綜合分析，具體如下：一、優(yōu)點(diǎn)...
2025-07-16 -
電壓擊穿試驗(yàn)儀有哪些常見問題
電壓擊穿試驗(yàn)儀在使用過程中常見問題可歸納為設(shè)備運(yùn)行異常、測(cè)試結(jié)果偏差、安全防護(hù)失效三大類，具體表現(xiàn)及解決方案如下：一、設(shè)備運(yùn)行異常無法啟動(dòng)或斷電原因：電源線接觸不良、保險(xiǎn)絲熔斷、電源開關(guān)故障。解決方案：檢查電源線是否插緊，更換插座測(cè)試；打開...
2025-07-16 -
高溫四探針測(cè)試儀的應(yīng)用
高溫四探針電阻測(cè)試儀是一種專門用于測(cè)量材料在高溫環(huán)境下電阻率/方阻的精密設(shè)備，其應(yīng)用場(chǎng)景主要集中在需要高溫、高精度電阻測(cè)量的領(lǐng)域。以下是其主要應(yīng)用場(chǎng)景：1.半導(dǎo)體材料與器件半導(dǎo)體晶圓測(cè)試：測(cè)量硅片、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體...
2025-07-09 -
硫化橡膠高壓五工位漏電起痕試驗(yàn)儀的使用注意事項(xiàng)
硫化橡膠高壓五工位漏電起痕試驗(yàn)儀的使用注意事項(xiàng)，分為操作前、操作中和維護(hù)三個(gè)方面，供參考：一、操作前注意事項(xiàng)1.環(huán)境要求確保設(shè)備放置在干燥、通風(fēng)良好的環(huán)境中，遠(yuǎn)離易燃易爆物品。環(huán)境溫度建議控制在10~30℃，濕度≤85%RH（避免凝露）。2...
2025-07-01 -
高溫四探針測(cè)試儀適用于什么材料
高溫四探針電阻測(cè)試儀是一種專門用于測(cè)量材料在高溫環(huán)境下電阻率/方阻的精密設(shè)備，其應(yīng)用場(chǎng)景主要集中在需要高溫、高精度電阻測(cè)量的領(lǐng)域。以下是其主要應(yīng)用場(chǎng)景：1.半導(dǎo)體材料與器件半導(dǎo)體晶圓測(cè)試：測(cè)量硅片、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等半導(dǎo)體...
2025-06-25
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